檢索結果：共11筆資料 檢索策略： "LED".ekeyword (精準) and cadvisor.raw="葉秉慧"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
此篇論文是使用商用氮化鎵磊晶於矽基板，磊晶結構為藍光發光二極體之晶圓製作積體化發光二極體(LED)和監控光偵測器(MPD)元件，以兩片不同廠商製作的晶圓，相同製程步驟和相似的製程參數製作，並做光電特…
2
氮化鎵材料系統被廣泛的應用於高功率發光二極體。其中很重要的一部分在於透明導電層的製作。ITO (Indium-tin-oxide)是廣泛被使用的材料之一，應用於氮化鎵系統的材料之中，卻出現了嚴重的問…
3
改善氮化鎵發光二極體(GaN Light-Emitting Diode)的電流分佈，來得到高發光效率的元件一直是近來年研究的重要議題之一，在使用藍寶石基板(Sapphire)作為發光二極體元件的基板…
4
本論文使用商用氮化鎵LED晶圓，利用矽擴散(Silicon Diffusion)製程，選擇性的將部分最上層的p-AlGaN反轉成n-AlGaN，使其結構由p-i-n變成n-p-i-n結構，在同一…
5
本論文研製積體化氮化鎵發光二極體與監控發光強度的光偵測器，量測其發光二極體基本光電特性、p-i-n光偵測器基本光電特性、p-i-n光偵測器室溫下暗電流以及在與發光二極體不同距離下p-i-n光偵測器所…
6
近年來氮化鎵材料已成為製作藍光發光二極體的主流且快速的發展。另一方面，自從氮化銦能隙更正後，發現以能隙為紫外光波長的氮化鎵(3.4eV)與紅外光波長的氮化銦(0.7eV)組成的氮化銦鎵，能組合成幾乎…
7
本論文使用商業紫外光發光二極體(UV LED)晶圓製作積體化UV LED與監控光偵測器(monitoring photodiode; MPD)。量測UV LED的基本光電特性，量測MPD的基本光…
8
氮化鎵是製作發光二極體最主要的材料之一，而氮化鎵的直接能隙(3.4eV)與氮化銦直接能隙(0.7eV)所混合的三元化合物氮化銦鎵(InGaN)可做為發光二極體以及太陽能電池元件。 由於p型氮化鎵之功…
9
由於希望未來可以將光電元件與電子元件積體化，而製作電子元件時大部分的基板是矽，近年氮化鎵晶圓廠商開始商品化氮化鎵磊晶在矽基板(GaN-on-Si)。此研究是本實驗室第一次製作與量測綠光共振腔發光二極…
10
發光二極體LED(Light Emitting Diode)其用途及性能都極為廣泛，但可見光發光二極體主要是在藍寶石基板上磊晶，所以散熱一直是個問題。為了改善這個問題，我們利用覆晶封裝的技術，將氮化…